1. 關於HBM在2025年之後的中長期需求展望及成長動能？
- AI市場正因大型科技公司資本支出擴張、Token使用量增加及AI新創企業的成長率而快速增長。
- 特別是，AI需求正從訓練擴展至推論階段，並趨向更複雜的應用，導致工作量大幅增加，頻寬瓶頸問題也日益加劇。
HBM在AI市場的性能提升中扮演關鍵角色。考慮到其持續的重要性，其成長潛力無庸置疑。AI市場正擴展至AI代理等領域，這將進一步提升運算需求，從而推動市場需求增長。
展望未來，雖然HBM市場可能不會重現初期爆發式的成長速度，但客戶基礎正快速擴張且趨向多元化。考慮到新產品和服務的推出，高成長態勢仍將持續。
2. 關於2026年HBM與主要客戶的供應協商進展？
- 具體客戶細節不便詳細討論，但目前進展符合預期。由於客戶專案日益多元化，我們正密切討論產品組合與定價策略。
作為客戶在AI半導體領域的協作夥伴，我們正協商以達成最佳供應條件。我們已做好準備，將按時穩定供應最高品質的產品，與客戶共同成長，並及時應對增加的供應需求。
3. 第二季度的提前拉貨需求強度、當前庫存水位及下半年需求展望為何？
- 第二季出貨量大幅超出原定指引，顯示客戶採購需求較預期強勁
- 客戶原計劃在今年上半年維持保守庫存，但因關稅不確定性轉向積極備貨
- 長期維持低庫存的客戶採購需求顯著提升
- 部分傳統產品（legacy products）更出現中小企業（含模組廠）搶貨現象
上半年實際出貨量遠超原計劃，但下半年需求放緩趨勢持續
我們認為市場供需驟變的可能性較低：
- 客戶端Q2庫存水位未達警戒水平
- 記憶體供應商庫存也已大幅去化，後續供給增量僅能來自產能提升
儘管採購需求可能受未來關稅政策影響，我們將聚焦需求能見度較高的產品，確保營運穩定性
4. 中國廠房稼動率下滑疑慮？中國晶圓廠未來運作規劃為何？
- 目前2023年10月獲得的「經驗證最終用戶」（VEU）資格無異常，將在合規前提下持續運作中國廠房以滿足客戶需求
近期環境顯示，傳統DRAM供需正影響中國廠房運作：
- 全行業擴產HBM量產排擠一般DRAM產能
- 在轉向D5/LPD5產品的過渡期，傳統產品出現供給短缺
我們已動用上季度庫存因應短期需求激增。經評估IT生態系後，判定傳統產品需求將在較長期維持一定規模，故計劃積極調配中國廠房產能因應
中國廠房同時是全球記憶體半導體供需的重要生產基地，未來將持續監管美國政策動向並與各國保持溝通
5. NAND第二季度出貨成長大幅超出預期，主要原因為何？
- 上次財報會議我們給出的指引是20%成長
- 當時雖觀察到現貨價格上漲和客戶庫存下降跡象，但部分產品的需求能見度並不高
然而第二季度出現以下關鍵變化：
- 超大規模雲端客戶（hyperscaler）加大AI投資，帶動企業級SSD（eSSD）需求上升
- 關稅政策影響引發零組件產品提前拉貨需求
- 中國市場促銷活動推升智慧型手機需求
隨著第二季度銷售量增加，我們庫存水位已回落至正常區間
未來將持續根據市場狀況動態調整生產與庫存策略
6. 市場擔憂隨著HBM4量產，因成本率上升可能影響HBM盈利能力，公司如何看待？
- HBM4是技術變革顯著的產品，包含因頻寬提升導致的I/O數量增加等設計變更
我們計劃將HBM4增加的成本充分反映在定價上
目標是與客戶建立最適定價機制，共同促進HBM市場健康發展
7. 關於DDR4產品的未來營運規劃？
- 由於部分供應商決定退出市場，短期內出現供應短缺疑慮
- 我們認為這主要是D4向D5世代轉換期間的需求集中現象，而非D4本身出現重大變化
隨著D5和HBM需求擴張，我們的D4營收佔比自2023年起持續下降，已從去年的雙位數百分比降至今年的個位數百分比。雖然我們確實計劃未來將終止大眾市場D4產品的生產，但仍會繼續履行長期合約以支持特定客戶需求。
8. 資本支出問題：今年投資金額將較原計劃增加多少？增量將主要用於設備投資還是基礎建設？
- 我們正同步推進未來成長投資與財務穩健性。今年投資主要聚焦於履行與客戶協議的出貨量，同時持續進行M15X擴產與龍仁廠區建設等長期成長基礎投資。
基於已確認的明年HBM供應能見度，我們決定提前進行主動投資以確保及時應對需求。因此，今年投資規模將較原計劃提升，其中增量資金主要投入HBM生產設備。具體投資金額將在與主要客戶完成協商後最終確定。
未來我們將在維持資本支出紀律的同時，持續提升投資效率。
9. 關於M16廠區空間不足可能限制產能擴張的疑慮？考慮到M15X投資，到明年年底的產能爬坡計劃為何？1c DRAM何時能達到15-20%的顯著占比？
- 隨著HBM市場增長需求擴大，我們已將大量傳統DRAM產能轉產HBM
- 相較過去，相同產量所需的潔淨室面積也顯著增加
- 目前現有晶圓廠正同步進行三大優化：
✓ 產品組合調整
✓ 製程技術轉換
✓ TSV（矽通孔）產能保障 - 中長期規劃方面，M15X、龍仁新廠與美國先進封裝廠正在同步推進
M15X預計今年第四季度竣工，明年啟動量產：
- 將主要生產次世代HBM產品
- 基於已確認的客戶需求能見度，採取漸進式擴產策略
雖不便透露明年年底具體產能規劃，但可明確承諾：絕不會出現因廠房空間不足導致無法滿足客戶需求的情況
1c製程轉換將於下半年啟動，明年進入全面轉換期，具體計劃確認後將另行公布
10. NAND市場增長放緩、供應商態度保守，盈利改善有限的情況預計將持續多久？
當前NAND市場增長放緩主因：
- 客戶終端IT需求停滯
- AI投資尚未傳導至存儲設備採購
但存儲投資需求終將顯現：
✓ AI應用普及與token生成量暴增，將使現有數據處理方式難以為繼
✓ 企業計劃將AI推論數據緩存卸載至eSSD（企業級SSD）
我們預估：
- 初步需求將在2-3年內浮現
- 若趨勢成形，eSSD將不再是單純存儲設備，而會成為運算緩存的一部分
- 在AI系統中的佔比將顯著提升
基於此，NAND市場可望迎來新一輪顯著增長
11. 新一代DRAM技術是否同樣適用於HBM DRAM芯片生產？
技術轉型背景：
- 傳統記憶體技術已在性能與容量方面接近物理極限
- 公司正重點布局兩大突破方向：
✓ 基於10nm以下結構/材料變革的垂直柵極平台(Vertical Gate Platform)
✓ 3D DRAM技術
技術優勢分析：
- 垂直平台通過柵極立體堆疊，可顯著提升：
- 面積效率提升40%+
- 能效比優化30%+
- 3D DRAM無需繼續微縮製程即可實現高容量
研發進度說明：
- 新技術需通過穩定性與量產可行性驗證（預計2-3年）
- 過渡期將持續推進現有製程微縮技術
- HBM核心競爭力源於底層DRAM技術優勢，新一代技術布局將確保持續領先
12. 關於主要客戶恢復對華AI芯片出口的需求提升效應？
現狀評估：
- 出口恢復時間較短，相關HBM產品配套方案仍在驗證中
- 在出口限制實施前，公司一直是該客戶專用HBM核心供應商
應對策略：
- 已建立快速響應機制，可隨時啟動追加供應
- 基於長期緊密合作，預計將實現雙贏結果
13. 針對HBM市場競爭加劇的疑慮，作為領導廠商的應對策略？
競爭本質認知：
- 競爭加劇屬行業常態，存儲器業務本就存在週期性競爭
- 核心在於持續創造卓越業績回報投資者
市場格局演變：
✓ HBM作為關鍵產品重塑行業生態：
• 存儲器市場已從純商品化轉向技術主導
• 領先廠商議價能力顯著提升
• 產品性能直接決定AI芯片/系統表現
✓ 客戶合作模式升級：
• 前瞻性技術協商優勢遠超傳統價格談判
核心競爭力解析：
• 組織優勢難以複製：
- 以客戶為中心的企業文化
- 高效協同的團隊作戰體系
• 技術路線圖規劃： - 突破AI算力瓶頸需HBM+新型存儲器組合
- 將主導PIM（存內計算）等新興領域發展
戰略部署：
- 短期：鞏固HBM技術代際領先優勢
- 中期：深化與核心客戶的聯合創新
- 長期：構建存儲器-算力協同生態體系
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