ASML Q1 25 法說會摘要

管理層報告

1. 財務表現

• 銷售額：
  • Q1總淨銷售額77億歐元（符合預期），其中系統銷售57億歐元（EUV 32億歐元，非EUV 25億歐元）。
  • 邏輯晶片佔比58%，存儲晶片42%。裝機管理業務銷售額20億歐元。
• 利潤率：
  • 毛利率54%（超預期），受益於EUV生產效率提升及高附加值產品組合。
  • 研發費用11.61億歐元，SG&A 2.81億歐元，有效稅率16.7%（全年預計約17%）。
• 現金流與股東回報：
  • 自由現金流-4.75億歐元（因產能投資及付款週期）。
  • Q1支付中期股息每股1.52歐元，全年股息預計每股6.40歐元；股票回購27億歐元。

2. 訂單與市場需求

• Q1系統訂單39億歐元（EUV 12億歐元，非EUV 28億歐元），邏輯晶片佔60%，存儲晶片40%。
• AI需求持續強勁，但客戶擴產進度和關稅政策可能影響業績區間（300-350億歐元收入目標不變）。

3. 關稅影響

• 潛在直接影響包括：對美系統銷售、美國工廠原材料進口、服務部件關稅等。
• 間接需求影響尚難量化，公司正與客戶及供應鏈協作應對。

技術進展

1. 低NA EUV（NXE:3800E）

• 已啟動現場升級至220片/小時配置，2025年完成全部裝機升級。
• 新出廠系統均達全規格標準，多家邏輯/存儲客戶用於量產最先進節點。

2. 高NA EUV（EXE:5000）

• 客戶成果：
  • Intel單季度曝光超3萬片晶圓，工藝步驟從40步減至10步。
  • 三星週期時間縮短60%。
• 交付計劃：
  • Q1交付第五台EXE:5000，三客戶已接收；升級版EXE:5200將於Q2起交付。
• 技術導入三階段：
  • 2025年：研發測試 → 2026-2027年：試生產 → 後續：大規模量產。

長期展望

• 2030年收入預期440-600億歐元，毛利率56-60%。
• 年度股東大會定於4月23日舉行。

QA Sessoion

Q1：
ASML是否會考慮調整High-NA EUV的定價策略以加速客戶採用？

A：

• 單次曝光微影技術比多重曝光更具成本效益，能簡化流程並降低成本。
• 目前阻礙快速採用的主因是設備成熟度而非價格，過早降價可能影響可靠性。
• High-NA的成熟度已超越當年low-NA同期水準，現階段重點是透過「Free Phase」等技術提升成熟度（如Phase II計畫）以推動市場接受度。

Q2：
DRAM產業轉向單次曝光EUV的時程？

A：

• 轉型已在進行中，尤其像3800E這類高效率設備（比3600快30%）加速了進程。
• 將持續與客戶合作優化技術成本，未來幾年採用率可望進一步提升。

Q3 ：
2025年成長所需的訂單規模為何？2026年是否仍能維持成長？

A：

• 基於技術需求與客戶規劃，2026年預期為成長年，但宏觀經濟不確定性仍存。
• 現有訂單已涵蓋2025年後需求，但仍需新訂單鞏固成長動能。

Q4：
中國市場佔比與訂單組成？

A：

• 2024年中國銷售佔比預估「略高於25%」（原預測「20%出頭」），主因成熟製程晶片需求強勁。
• 中國訂單佔總訂單比例維持20–25%。

Q5 ：
關稅政策是否影響客戶交貨時程？

A：

• 關稅公告未改變客戶業務計畫，但產業鏈存在不確定性。
• 客戶擴廠進度受廠房空間限制，難以提前拉貨。
• 預先建置的3600E庫存銷售順利，無滯銷疑慮。

Q6 ：
請確認low-NA EUV單價（約2.3億歐元）與毛利率（約55%）是否含一次性因素？

A：

• 確認單價為2.27億歐元，但長期混合單價將趨近2.2億歐元。
• low-NA毛利率高於公司平均（未揭露具體數字），無一次性因素影響。

Q7：
中國營收上修與美國禁令對服務收入的影響？

A：

• 中國佔比提升反映成熟製程晶片需求超預期（含內需與出口）。
• 未提供美國限制14奈米廠服務收入的具體指引。

Q8：
對中國自主EUV技術的看法？AI需求是否推升長期市場規模？

A：

• 中國EUV進展仍處研究階段，短期難有商用產品。
• AI需求穩健，推論（inferencing）應用將逐步超越訓練（training）成為成長主力，有利長期市場擴張。

Q9：
關稅對毛利率的潛在衝擊？

A：

• 衝擊程度取決於美國半導體關稅政策定案，ASML正與產業鏈協作分攤成本。
• Q2毛利率區間擴大反映短期不確定性，全年影響尚難量化。

Q10：
晶圓廠全球化布局對設備支出的影響？

A：

• 分散設廠可能導致產能效率降低，長期推升晶圓需求。
• 但關稅不確定性抵銷部分樂觀預期。

Q11：
從研發型EXE:5000過渡到生產型EXE:5200平台的關鍵里程碑？

A：
分為三個階段：

1. 研發驗證：客戶使用EXE:5000在ASML實驗室或自有產線測試高數值孔徑（High-NA）EUV技術性能，此階段正在進行。
2. 早期生產：客戶挑選少量製程層/產品，以更高效率的EXE:5200進行試產，目前已開始出貨。
3. 量產階段：待工具成熟後，於2027-2028年全面用於先進製程節點。

Q12：
哪個領域（邏輯晶片、代工廠、DRAM）會率先採用High-NA？

A：

• 傳統上邏輯晶片優先，但記憶體（DRAM）與邏輯的導入時間「非常接近」。
• 兩類客戶皆積極驗證工具，代工廠可能緊隨其後。

Q13：
中國「四大」本土晶片製造商與中小客戶的營收占比變化？

A：

• 隨中小客戶數量增加，四大廠商占比逐年下降。
• 但大型客戶因採購量仍佔中國區出貨主力。

Q14：
若限制出貨至2000i以下型號，中國能否用舊款DUV（如1950i/1980i）生產28奈米？

A：
可以。過去國際客戶已證明透過多重曝光（multi-patterning）技術，舊款機台能支援28奈米，甚至更先進製程。

Q15：
訂單庫存中的EXW（工廠交貨）與DDP（完稅交貨）價格占比？關稅影響？

A：

• ASML負責進口流程，但關稅成本依合約與客戶分攤。
• 公司主張關稅應由產業鏈公平分擔，而非單一企業吸收。

Q16：
EXE:5200是否計入2025年營收認列？

A：
是的。2025年預計認列的5台High-NA設備中，包含部分EXE:5200（其餘為EXE:5000）。

Q17：
以單次EUV曝光取代多重曝光的進展？

A：

• 隨EUV生產效率提升、單層成本下降，將逐步取代多重曝光。
• DRAM因現行多重曝光使用率更高，轉換速度可能快於邏輯晶片。

Q18：
Q1訂單波動是否反映關稅不確定性？

A：
訂單起伏主要反映客戶內部審批週期（如Q4大單導致Q1減少），與關稅關聯性低。

Q19：
美國關稅政策與半導體本土化目標（如台積電亞利桑那廠）的矛盾？

A：
產業與美國政府已意識到矛盾，近期部分工具關稅豁免及供應鏈審查即為平衡本土化與設備取得。

Q20：
High-NA訂單對三階段的覆蓋情況？

A：

• 現有雙位數訂單已涵蓋階段1（研發）與階段2（試產）。
• 階段3（量產）訂單待客戶確認工具成熟度後，預計2024年底至2025年追加。

Q21：
2025/2026年訂單能見度與2024年同期比較？

A：

• 2025年營收中位數目標已近滿載（EUV 100%、DUV約90%）。
• 2026年現有訂單提供「良好基礎」，但未具體預測。

Q22：
階段3的High-NA訂單何時啟動?

A：
我們可能會有一些，但我認為現在還太早(still too early)。
因為目前我們大多仍處於第一階段（Phase 1），還在安裝一些設備。
所以這還需要更多時間。

*Reminder: 本內容大量使用了人工智慧生成技術，可能有準確性不足的問題，不適合作為投資決策的依據，僅供參考。